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三星最強(qiáng)7nm工藝量產(chǎn) 高通驍龍8150穩(wěn)了

CNMO 【原創(chuàng)】 作者:王勃 2018-10-19 09:35
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  【手機(jī)中國新聞】據(jù)外媒報(bào)道,10月18日,三星電子宣布7nm LPP(Low Power Plus)制程已進(jìn)入量產(chǎn)階段,全球首發(fā)EUV工藝,成功應(yīng)用極紫外光(EUV)微影技術(shù)。盡管臺(tái)積電早已量產(chǎn)的7nm工藝搶走了大部分訂單,但是其第二代采用EUV工藝的7nm芯片尚未量產(chǎn),因此讓三星占據(jù)了先發(fā)優(yōu)勢(shì)。

晶圓(圖片來自網(wǎng)絡(luò))
晶圓(圖片來自網(wǎng)絡(luò))

三星最強(qiáng)7nm LPP量產(chǎn)
三星最強(qiáng)7nm LPP量產(chǎn)

  一直以來,三星電子與高通的合作可謂緊密,然而由于三星7nm工藝遲遲未上,有傳言稱高通最新的頂級(jí)移動(dòng)芯片驍龍8150有可能轉(zhuǎn)由臺(tái)積電代工,這也是沒有辦法的事。不過,在三星第二代采用EUV工藝的7nm芯片量產(chǎn)后,又迎來了變數(shù),看起來驍龍8150/8180等SoC由三星代工的希望也很大。

三星最強(qiáng)7nm LPP量產(chǎn)
三星最強(qiáng)7nm LPP量產(chǎn)

三星最強(qiáng)7nm LPP量產(chǎn)
三星最強(qiáng)7nm LPP量產(chǎn)

  據(jù)了解,三星7nm LPP采用EUV光刻,日產(chǎn)能1500片。三星電子的7nm LPP工藝相比上一代10nm FinFET的面積減少了40%,性能提升20%,耗電減少50%,消耗的掩膜也減少了20%。隨著三星的新7nm工藝量產(chǎn)以及產(chǎn)能擴(kuò)增,三星在晶圓代工行業(yè)的地位更加穩(wěn)固,臺(tái)積電一家獨(dú)大的希望就此落空。

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