隨著移動(dòng)設(shè)備領(lǐng)域智能操作系統(tǒng)與硬件性能的不斷進(jìn)步,智能移動(dòng)設(shè)備產(chǎn)品的電池續(xù)航能力首當(dāng)其沖迎來(lái)了其發(fā)展瓶頸。同時(shí),智能移動(dòng)設(shè)備的易失性?xún)?nèi)存(閃存)和易失性?xún)?nèi)存(SDRAM)如何進(jìn)一步提升,同樣是硬件廠(chǎng)商的難題之一。
據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道,三星電子(Samsung Electronics)近日公布已開(kāi)發(fā)出新一代移動(dòng)儲(chǔ)存技術(shù)——WIDE IO Mobile DRAM。據(jù)悉,該芯片符合LPDDR2(Low Power Double Data Rate 2)標(biāo)準(zhǔn),并將廣泛適用于智能手機(jī)與平板電腦等移動(dòng)設(shè)備。而相比普通的Mobile DRAM,全新的WIDE IO Mobile DRAM性能提升了8倍,即傳輸速度從1.6Gbps提高到了12.8Gbps,同時(shí)其功耗則減少了87%。
同時(shí)作為三星電子最大客戶(hù)之一,蘋(píng)果公司下一代蘋(píng)果iPad、蘋(píng)果iPhone以及蘋(píng)果iPod將極有可能采用這項(xiàng)全新技術(shù)。此外,三星電子預(yù)計(jì)在2013年將會(huì)推出采用22納米工藝的Mobile DRAM。
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